Тайваньская Macronix рассчитывает войти в клуб производителей 96-слойной 3D NAND

Рынки памяти DRAM и NAND фактически превратились в олигополию. От многообразия имён в начале «нулевых» к сегодняшнему дню число главных игроков сократилось, соответственно, до трёх и шести компаний. Остальные, а это преимущественно тайваньские производители, измельчали настолько, что на этих рынках занимают едва больше 1–2 %. Но даже с такими объёмами они умудряются не только зарабатывать и держаться на плаву, но также создавать собственные уникальные решения и продукты.

Одна из таких компаний, оставшихся на плаву на рынке NAND, ― это тайваньская Macronix International. На днях Macronix опубликовала отчёт о работе в четвёртом квартале 2018 года. Она уже почувствовала на себе эффект от снижения цен на память. Выручка компании в отчётный период составила $291,3 млн, что на 10 % меньше по сравнению с предыдущим кварталом и на 15 % меньше по сравнению с четвёртым кварталом прошлого года. Но речь не об этом. Даже из таких скудных средств в 2019 году Macronix выделит на исследования и модернизацию своих заводов $485,8 млн. К чему она стремится?

Как заявило руководство компании, ведутся интенсивные разработки в области многослойной 3D NAND. Компания рассчитывает создать собственные технологии выпуска 48-слойной и 96-слойной флеш-памяти для выпуска 128-Гбит и 256-Гбит решений. Рисковое производство 96-слойной памяти Macronix рассчитывает начать в конце 2020 года. Помимо этого компания внедряет в производство на своей 300-мм фабрике техпроцесс с нормами 19 нм для выпуска планарной памяти SLC NAND.

Сравнение 3D NAND с распространёнными затворами GAA и SGVC компании Macronix

Кроме этого Macronix выпускает память типа NOR ― быструю, надёжную, но сравнительно небольшой плотности. Такая память находит применение в автомобильной электронике и электронике промышленного назначения. На 300-мм подложках Macronix выпускает 55-нм NOR-флеш, а на 200-мм ― 75-нм. В качестве туза в рукаве компания держит (и развивает) технологию выпуска сверхплотной 3D NAND с оригинальной структурой SGVC или single-gate vertical channel (вертикальный канал с одним затвором). Технология позволяет примерно на треть увеличить плотность ячеек памяти 3D NAND без ухудшения характеристик памяти. Может так статься, технология SGVC будет реализована с началом выпуска 48-слойной или 96-слойной 3D NAND Macronix.

Источник ^[1]

Источник ^[2]