Стартовало производство опытной серии 1-Гбит STT-MRAM: ёмкость выросла вчетверо

Компания Everspin Technologies, которая единственная в мире выпускает чипы магниторезистивной памяти в коммерческих объёмах, некоторое время назад сообщила о начале опытного производства нового поколения микросхем STT-MRAM. Серийная продукция Everspin, которую по её заказу выпускают завод компании NXP в США и одно из предприятий компании GlobalFoundries, представляет собой 40-нм чипы STT-MRAM ёмкостью 256 Мбит. Новое поколение памяти будет в четыре раза больше по ёмкости (1 Гбит) и выпускается с использованием 28-нм техпроцесса. Тем самым, кстати, 1-Гбит чипы STT-MRAM будет выпускать только компания GlobalFoundries.

Кеширующий ускоритель nvNITRO Accelerator Card с 1 Гбайт бортовой памяти STT-MRAM

Выпуск и распространение опытной серии 1-Гбит STT-MRAM начались примерно месяц назад в декабре 2018 года. Массовое производство памяти в коммерческих объёмах стартует позже ― во второй половине текущего 2019 года. Важной особенностью 1-Гбит чипов STT-MRAM считается то, что они выпускаются в таком же самом корпусе и с таким же числом BGA-контактов, как и 256-Мбит чипы. Поэтому для создания новых продуктов разработчикам не придётся делать лишних телодвижений, чтобы перейти на более ёмкие чипы STT-MRAM Everspin. Интерфейс 1-Гбит STT-MRAM не изменился ― это либо 8-разрядная, либо 16-разрядная организация шины DDR4 (ST-DDR4).

SSD IBM FlashSystem с буфером из памяти STT-MRAM

Четырёхкратное повышение плотности памяти STT-MRAM пригодится для выпуска высокопроизводительных кеширующих ускорителей для ведения журналов транзакций и для создания более ёмких буферов для SSD на памяти NAND. Быть может, память STT-MRAM сможет появиться также в SSD средней ценовой категории, а не только в серверных решениях. Для этого память MRAM выгодно отличается от традиционной NAND (3D NAND). Она быстрее, потребляет меньше энергии и имеет на порядки большую устойчивость к износу. Фактически «убийца» NAND, если бы только удалось ещё больше увеличить плотность записи.

Источник ^[1]

Источник ^[2]