- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

В конце года китайский производитель ChangXin Memory начнёт выпускать 8-Гбит чипы LPDDR4

В конце года китайский производитель ChangXin Memory начнёт выпускать 8-Гбит чипы LPDDR4

По данным из индустриальных источников на Тайване, на которые ссылается интернет-ресурс DigiTimes, китайский производитель памяти компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) полным ходом ведёт подготовку линий к массовому выпуску памяти LPDDR4. Компания ChangXin, известная также под именем Innotron Memory, как утверждается, разработала собственный техпроцесс производства DRAM с использованием 19-нм технологических норм.

К коммерческому выпуску памяти на своём первом 300-мм предприятии ChangXin должна была приступить в первой половине 2019 года. Увы, пока этого не произошло. Но старт производства 8-Гбит чипов DDR4 LPDDR4 будет сопровождаться расширением мощностей до 20 тыс. 300-нм кремниевых подложек в месяц. Максимальная мощность линий на предприятии ChangXin достигает 125 тыс. 300-мм пластин в месяц. Но это тоже не предел. В компании сообщили, что в следующем году начнут строить второй завод для обработки 300-мм подложек с памятью.

В то же время этот китайский производитель может столкнуться с проблемами иного рода. Напомним, первая китайская компания, которая собиралась начать массовый выпуск памяти DRAM ― Fujian Jinhua ― попала в санкционный список США с запретом закупать у американских партнёров производственное оборудование. На Тайване считают, что ChangXin столкнётся с теми же проблемами, что и Fujian. К тому же она набрала на работу квалифицированных инженеров с бывшего тайваньского дочернего предприятия японской Elpida, бизнес которой поглощён американской Micron. Аналитики ждут исков к ChangXin со стороны Micron и санкций в случае отсутствия реакции китайской стороны.

В конце года китайский производитель ChangXin Memory начнёт выпускать 8-Гбит чипы LPDDR4

Глава компании Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо, хозяин китайского производителя 3D NAND компании YMTC

Параллельно ChangXin ведёт разработку техпроцесса производства памяти с нормами 17 нм. Завершение разработки ожидается в 2021 году. Вероятно, второй завод ChangXin начнёт работу с выпуска кристаллов DRAM именно с этими нормами. Если, конечно, у неё на пути непреодолимой преградой не станут санкции США и происки Micron.

Источник [1]

Источник [2]


Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/gadzhety-i-ustrojstva-dlya-gikov/320607

Ссылки в тексте:

[1] Источник: https://3dnews.ru/989007

[2] Источник: http://supreme2.ru/%d0%b2-%d0%ba%d0%be%d0%bd%d1%86%d0%b5-%d0%b3%d0%be%d0%b4%d0%b0-%d0%ba%d0%b8%d1%82%d0%b0%d0%b9%d1%81%d0%ba%d0%b8%d0%b9-%d0%bf%d1%80%d0%be%d0%b8%d0%b7%d0%b2%d0%be%d0%b4%d0%b8%d1%82%d0%b5%d0%bb%d1%8c-cha/