SK Hynix определилась со сроками внедрения EUV-литографии при производстве памяти

О перспективах использования литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) при производстве микросхем памяти чаще всего приходится рассуждать в контексте планов Micron. Точнее говоря, этот производитель является противником скорого применения EUV-литографии для выпуска микросхем памяти, и главным доводом в защиту такой позиции пока является высокая себестоимость такого производства. Между тем многие производители памяти уже сходятся во мнении, что пора присмотреться к EUV-литографии, хотя бы на перспективу. Даже Micron не скрывает, что эксперименты с EUV уже начала, пусть и без чётких планов по внедрению этой технологии в масштабах серийного производства.

Источник изображения: Micron, AnandTech

Летом этого года представители Micron дали понять, что примерно до 2023 года компания сможет выпускать микросхемы памяти по литографическим технологиям 10-нм класса без использования EUV. На минувшей квартальной отчётной конференции SK Hynix были озвучены планы корейского производителя в этой сфере. В следующем году компания наладит выпуск микросхем оперативной памяти по техпроцессу 1Z нм, среди них будут и микросхемы LPDDR5, например.

К началу 2021 года SK Hynix подготовит переход на техпроцесс 1α нм. В серийном производстве впервые будет задействована EUV-литография, именно в рамках этого техпроцесса. В 2022 году SK Hynix расширит применение EUV-литографии, освоив техпроцесс 1β нм.

В сфере твердотельной памяти SK Hynix планирует в ближайшие 12 месяцев сосредоточиться на выпуске 96-слойных микросхем, и только в третьем квартале следующего года будет начато массовое производство 128-слойных микросхем, которые найдут применение в накопителях клиентского класса и мобильных устройствах.

Источник ^[1]

Источник ^[2]