- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

Мы продолжаем рассказывать о различных химических веществах, их применении в электронике и, разумеется, патентом аспекте. На этот раз речь пойдет о РН3 чистотой 6 девяток. Фосфи́н (он же фосфористый водород, фосфид водорода, гидрид фосфора и по номенклатуре IUPAC монофосфан) — бесцветный ядовитый газ (при нормальных условиях), аналог аммиака NH3.
Фосфин высокой чистоты предназначен для применения в установках МОС-гидридной эпитаксии и получения полупроводниковых структур методом химического осаждения из газовой фазы путем термического разложения. Фосфин используется для изготовления полупроводниковых материалов (фосфид галлия и др.).
Напомним, МОС-гидридная эпитаксия — один из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. В англоязычной литературе используются обозначения MOVPE — Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, MOCVD — Metalorganic Chemical Vapor Deposition, OMVPE — Organo Metallic Vapor Phase Epitaxy. Метод основан на росте эпитаксиальных слоев (ЭС) полупроводниковых материалов путем совместного пиролиза и взаимодействия различных комбинаций металлоорганических соединений (МОС) и гидридов.
Также фосфин технической чистоты применяется как фумигант.
В исследовании [1] Electronic Grade Phosphine (PH3) Market, Global Outlook and Forecast 2023-2030 основными игроками на мировом рынке являются Entegris, Nata Opto-electronic, Shanghai Gen Tech, Linde plc. Доля четырех крупнейших мировых производителей составляет более 80%. Китай является крупнейшим производителем фосфина для электроники, его доля превышает 50%, за ним следуют США с долей в 40%.
Нижегородское АО «НПП «Салют» выпускает газ электронной чистоты в баллонах из нержавеющей стали объемом 1-20 л. Метод контроля качества: газохроматографический анализ. Квалификация фосфина по чистоте составляет 99,99994.
Сырьём для фосфина служит высокочистый фосфор.
Специалисты подольского Научно-исследовательского института НПО «Луч» (входит в научный дивизион «Росатома») совместно с профильным предприятием атомной отрасли АО «Гиредмет» (также входит в научный дивизион), РХТУ им. Д. И. Менделеева и ННГУ им. Н. И. Лобачевского — разработали полностью отечественную технологическую цепочку очистки фосфора и синтеза его соединений. Разработка призвана восполнить существующий дефицит высокочистых элементов, используемых в процессах производства специальных материалов для нужд аэрокосмической и компьютерной промышленности. Работы осуществлены в рамках комплексной программы Министерства промышленности и торговли России «Развитие электронного машиностроения на период до 2030 года». Зарубежные поставки (около 80% приходилось на недружественные страны) таких высокочистых элементов прекратились.
На портале Google.Patents указано более 100 000 документов на декабрь 2024 по Phosphine (PH3). Среди патентообладателей ТОП-5 лидеров составили:
Samsung Electronics Co., Ltd. [2] — 4,9%;
Merck Patent [3] (в том числе китайское подразделение 默克专利有限公司 [4]) — 3%;
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (株式会社半導体エネルギー研究所 [5]) — 2,9%;
Massachusetts Institute Of Technology [6] — 1,1%;
3M Innovative Properties Company [3] — 1%.
Как видите, безусловное лидерство за южнокорейской Samsung. За ней идет фармгигант Merck. На третьем месте Semiconductor Energy Laboratory Co. Ее основателю и патентному королю Японии Ямадзаки Сюмпэю мы уже посвятили отдельный материал [7] на Хабре. Примечательно, что в наш небольшой рейтинг вошел Массачусетский технологический институт. Очевидно, этот вуз ведет определенные исследования по этому направлению.
Популярные темы патентов в рамках международной патентной классификации выглядят так:
гетероциклические соединения C07D [8] — 32,1%;
материалы, не отнесенные к другим подклассам C09K [9] — 29,7%;
органические электрические твердотельные устройства H10K [3] — 26,5%;
лекарства и медикаменты A61K [3] — 21,6%;
ациклические, карбоциклические или гетероциклические соединения C07F [3] — 21%;
терапевтическая активность химических соединений или лекарственных препаратов A61P [3] — 20,6%;
полупроводниковые приборы H01L [3] — 19,1%;
сокращение выбросов парниковых газов сокращение выбросов парниковых газов Y02E [3] — 14%.
Лидируют патенты, посвященные гетероциклическим соединениям. Примерами являются JP2023027091A [10] и US10590118B2 [11]
А что же в России?
В базе ФИПС на «фосфин» числится 158 патентов РФ на изобретения, из которых только всего 38 действующие. Большинство из них посвящены химическим технологиям получения фосфина, а также сельскохозяйственного применения вещества как фумигатора зерна (защита от вредителей). По подклассу «полупроводниковые приборы H01L [12]» ноль патентов!
Патентов РФ на полезные модели 4 ед., но действующих нет.
Программ для ЭВМ нет.
База данных одна: 2013620851 [13] от Института оптики атмосферы им. В.Е. Зуева СО РАН «Колебательно-вращательные переходы и параметры спектральных линий молекул PH3и NH3и их изотопологов».
Топологий интегральной схемы нет.
Вот, собственно, все достижения отечественной инженерной мысли. Ура, товарищи.
Фосфин в электронике даёт фосфор, который является часто используемой легирующей добавкой в полупроводники N-типа. Результатом является ускорение работы электронных устройств и расширение их функциональных возможностей.
В России в открытом доступе в базе ЕГИСУ НИОКРТ по термину «фосфин электроника» содержатся сведения только об одной НИР «Диазадифосфапенталены: от нековалентных взаимодействий до реагентов для органического синтеза и строительных блоков для материалов молекулярной электроники»; её в 2022-2023 гг. выполнил Институт Металлоорганической Химии им. Г.А. Разуваева РАН (Нижний Новгород) на грант 14 млн руб. от Российского Научного Фонда.
Возможно, имеются закрытые сведения о такого рода научно-технической и производственной активности. Как шутили в фильме Шукшина «У нас есть такие приборы, но мы их вам не покажем». Надеемся, это не шутка и приборы имеются.
Но пока что очевидно катастрофическое отставание в этом аспекте. Возможно, кооперация с Китаем как-то исправит ситуацию в будущем.
Регистрация программы для ЭВМ [15]
Внесите софт в Реестр отечественного ПО и сэкономьте на налогах [16]
Автор: ko_ya
Источник [17]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/himiya/404842
Ссылки в тексте:
[1] исследовании: https://www.grandresearchstore.com/chemicals-and-materials/global-electronic-grade-phosphine-forecast-2023-2030-801
[2] Samsung Electronics Co., Ltd.: https://patents.google.com/?q=Phosphine+(PH3)&assignee=Samsung+Electronics+Co.%2c+Ltd.&peid=61fd8e3886238%3A23%3A8f7f4ccf
[3] Merck Patent: https://patents.google.com/?q=Phosphine+(PH3)&oq=Phosphine+(PH3)+
[4] 默克专利有限公司: https://patents.google.com/?q=Phosphine+(PH3)&assignee=%E9%BB%98%E5%85%8B%E4%B8%93%E5%88%A9%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8&peid=61fd8e3977598%3A25%3A22ec6420
[5] 株式会社半導体エネルギー研究所: https://patents.google.com/?q=Phosphine+(PH3)&assignee=%E6%A0%AA%E5%BC%8F%E4%BC%9A%E7%A4%BE%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93%E3%82%A8%E3%83%8D%E3%83%AB%E3%82%AE%E3%83%BC%E7%A0%94%E7%A9%B6%E6%89%80&peid=61fd8e396f4b0%3A24%3Aa25158d1
[6] Massachusetts Institute Of Technology: https://patents.google.com/?q=Phosphine+(PH3)&assignee=Massachusetts+Institute+Of+Technology&peid=61fd8e25b1568%3A1b%3A6675c2b5
[7] материал: https://habr.com/ru/companies/onlinepatent/articles/706412/
[8] гетероциклические соединения C07D: https://patents.google.com/?q=Phosphine+(PH3)&q=C07D&peid=61fd8f2a15bd0%3A2d%3A4d160fc4
[9] C09K: https://patents.google.com/?q=Phosphine+(PH3)&q=C09K&peid=61fd8f2a26570%3A2e%3A7eea9800
[10] JP2023027091A: https://patentimages.storage.googleapis.com/fd/07/37/b9864b02730be3/JP2023027091A.pdf
[11] US10590118B2: https://patentimages.storage.googleapis.com/dc/8b/c4/23a7d55e48f47c/US10590118.pdf
[12] H01L: https://patents.google.com/?q=(Zinc)&q=H01L&peid=613fbf0dfb640%3A34%3A3525dceb
[13] 2013620851: http://new.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=DB&DocNumber=2013620851&TypeFile=html
[14] Бесплатный поиск, мониторинг и регистрация товарных знаков и других объектов интеллектуальной собственности.: https://my.onlinepatent.ru/client/registration?context=Claim&type=TradeMark&utm_source=habr&utm_medium=smm&utm_campaign=habr_smm_post1112&utm_content=podvalhabr1012
[15] Регистрация программы для ЭВМ: https://onlinepatent.ru/uslugi/registraciya-programmy-dlya-evm/?utm_source=habr&utm_medium=smm&utm_campaign=habr_smm_post1112&utm_content=podvalhabr1112
[16] Внесите софт в Реестр отечественного ПО и сэкономьте на налогах: https://onlinepatent.ru/uslugi/reestr/?utm_source=habr&utm_medium=smm&utm_campaign=habr_smm_post1112%D1%91&utm_content=podvalhabr1112
[17] Источник: https://habr.com/ru/companies/onlinepatent/articles/865722/?utm_campaign=865722&utm_source=habrahabr&utm_medium=rss
Нажмите здесь для печати.