Samsung приступит к массовому производству памяти DRAM по нормам 18 нм во втором квартале 2016

Как сообщает корейское издание Digital Times, во втором квартале следующего года компания Samsung Electronics приступит к массовому производству памяти DRAM с использованием 18-нанометрового (1x) технологического процесса.

Источник добавляет, что в течение следующих пяти лет, модифицируя свою технологию экспонирования с двойным шаблоном, компания Samsung сможет и дальше успешно двигаться в этом направлении, постепенно переводя производство памяти DRAM на нормы 15 нм (1y) и 10 нм (1z).

В ранее опубликованном прогнозе DRAMeXchange также говорится о том, что Samsung начнет в следующем году массовое производство модулей памяти DRAM с использованием 18-нанометрового технологического процесса, тогда как конкуренты в лице SK Hynix смогут начать тестовое производство по нормам 18 нм только к концу следующего календарного года.

По последним данным, в третьем квартале этого года доли Samsung Electronics и SK Hynix на рынке динамической памяти с произвольным доступом составляли около 46% и 28% соответственно.

Источник:
Digitimes ^[1]

Источник ^[2]