Samsung подтверждает, что серийный выпуск DRAM «10-нанометрового класса» начался

Компания Samsung подтвердила ранее появившуюся информацию, что ей первой удалось начать серийный выпуск памяти DRAM «10-нанометрового класса» ^[1]. Напомним, под этой формулировкой подразумеваются микросхемы, изготавливаемые по нормам от 10 до 19 нм. Все остальные производители пока выпускают микросхемы DRAM по технологии «20-нанометрового класса», то есть по нормам от 20 до 29 нм.

Южнокорейский производитель отмечает, что новое поколение техпроцесса освоено без перехода к использованию жесткого ультрафиолетового излучения, в рамках иммерсионной литографии с фтор-аргоновыми лазерами. Ключевыми улучшениями, позволившими уменьшить нормы, названа новая конструкция ячейки, четырехкратное шаблонирование и ультратонкий слой диэлектрика.

Переход к более тонким нормам, по подсчетам Samsung, даст возможность увеличить более чем на 30% количество чипов DDR4 плотностью 8 Гбит, изготавливаемых из одной пластины. Новые чипы поддерживают скорость передачи 3200 Мбит/с (в расчете на линию), что существенно выше скорости 2400 Мбит/с, поддерживаемой чипами DDR4 20-нанометрового класса. При этом модули памяти с новыми микросхемами имеют на 10-20% меньшее энергопотребление.

Samsung планирует использовать новые микросхемы памяти в широком спектре модулей памяти — от модулей объемом 4 ГБ для ноутбуков до модулей объемом 128 ГБ для серверов.

Источник: Samsung ^[2]

Источник ^[3]