Samsung начинает серийный выпуск первых SSD NVMe объемом 512 ГБ в виде микросхем BGA

Компания Samsung Electronics сообщила о начале выпуска твердотельных накопителей с интерфейсом NVM Express (NVMe), выполненных в виде микросхем в корпусе типа BGA. Эти накопители, получившие обозначение PM971-NVMe, предназначены для персональных компьютеров следующего поколения, имеющих повышенную плотность компоновки.

В крошечном корпусе PM971-NVMe находятся все компоненты, образующие высокоскоростной и вместительный накопитель: флэш-память типа NAND, кэш-память DRAM и контроллер.

Говоря более точно, в корпусе упаковано 16 чипов Samsung V-NAND плотностью 256 Гбит каждый (48-слойные чипы), один 20-нанометровый чип LPDDR4 DRAM плотностью 4 Гбит и контроллер. Размеры SSD равны 20 x 16 x 1,5 мм, масса — около 1 г. Другими словами, новый накопитель примерно в 100 раз меньше накопителя типоразмера 2,5 дюйма с интерфейсом SATA 6 Гбит/с. При этом превосходит его по скорости.

Скорость последовательного чтения достигает 1500 МБ/с, последовательной записи — 900 МБ/с (при использовании технологии кэширования TurboWrite). Производительность на операциях с произвольным доступом достигает 190 000 IOPS в случае чтения и 150 000 — в режиме записи.

Накопители PM971-NVMe будут доступны объемом 128, 256 и 512 ГБ. Поставки уже начинаются.

Источник: Samsung Electronics ^[1]

Источник ^[2]