- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Специалистами национального университета Сингапура (NUS) создана, по их утверждению, первая в мире гибкая микросхема магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). Внешне она выглядит как кусочек прозрачной пленки с едва заметным рисунком на ней.
К достоинствам MRAM относится высокое быстродействие и способность хранить информацию в отсутствие питания, что делает ее универсальной заменой памяти DRAM и NAND. К сожалению, по плотности MRAM пока уступает указанным типам памяти.
Исследователи, работающие в NUS, уже запатентовали свою разработку в США и Южной Корее. Они рассчитывают применить подходы, позволившие создать гибкую память MRAM, для создания других гибких электронных приборов, которые тоже могут найти применение в носимой электронике.
Источник: NUS [1]
Источник [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/159238
Ссылки в тексте:
[1] NUS: http://news.nus.edu.sg/press-releases/10642-flexible-magnetic-memory-device
[2] Источник: http://www.ixbt.com/news/2016/07/20/v-singapure-sozdana-pervaja-gibkaja-pamjat-mram.html
Нажмите здесь для печати.