TSMC представила инфраструктуру разработчика, рассчитанную на нормы 20 нм и технологию CoWoS

Компания TSMC объявила о том, что в платформе разработчика Open Innovation Platform (OIP) появилась поддержка 20-нанометрового техпроцесса и технологии многокристальной компоновки CoWoS (Chip on Wafer on Substrate).

В референсной методике проектирования с соблюдением норм 20 нм возможно использование двойного формирования структур (DPT). По словам TSMC, ведущие поставщики САПР электронных приборов поддерживают соответствующую возможность в своих инструментах для размещения элементов и трассировки соединений, синхронизации, верификации на физическом уровне и проектирования с учетом технологических требований (DFM).

Что касается CoWoS, эта технология должна ускорить распространение микросхем, в которых используется объемная компоновка. Она призвана обеспечить плавный переход к конструкциям из нескольких кристаллов с минимальными изменениями в существующих методиках. В частности, это касается управления расположением и трассировкой контактных площадок, столбиковых выводов и межкристальных соединений. В CoWoS реализован анализ целостности сигналов межкристальных соединений, анализ температурных характеристик на всех уровнях — от кристалла до всей системы; а также встроенная методика тестирования объемных компоновок на уровне кристалла и стека кристаллов.

Источник: TSMC ^[1]