Fujitsu собирается встраивать в БИС память на углеродных нанотрубках

Японские компании Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu Semiconductor объявили о заключении соглашения с американской компанией Nantero, в течение многих лет разрабатывающей память типа NRAM ^[1]. Эта энергонезависимая память с возможностью перезаписи объединяет в себе достоинства динамической памяти с произвольным доступом и флэш-памяти, поэтому ее считают одним из наиболее вероятных претендентов на роль универсальной памяти.

Соглашение предусматривает совместную разработку энергонезависимой памяти NRAM на углеродных нанотрубках, которая превосходит флэш-память по скорости записи в тысячу раз, и по ресурсу — во много тысяч раз. Компания Fujitsu Semiconductor планирует к концу 2018 года создать большие интегральные схемы (БИС) со встроенной памятью NRAM, после чего придет очередь микросхем NRAM как самостоятельных изделий. Компания Mie Fujitsu Semiconductor, занимающаяся контрактным производством полупроводниковой продукции, намерена предложить выпуск изделий с памятью NRAM своим заказчикам. Разрабатываемая партнерами память NRAM будет рассчитана на выпуск по нормам 55 нм.

Источник: Fujitsu ^[2]

Источник ^[3]