SoC Snapdragon 835 будет работать на частоте до 3 ГГц и поддерживать дисплеи разрешением до 4К

Вчера мы публиковали первые подробности об однокристальной системе Helio P35 ^[1], которая получит десятиядерную архитектуру и будет использоваться в мобильных устройствах среднего ценового диапазона.

Тот же источник выложил в Weibo новые детали о флагманской SoC Snapdragon 835, подтвердив ранее появившуюся информацию ^[2] о том, что 10-нанометровая SoC получит восемь процессорных ядер Kryo и GPU Adreno 540.

Теперь мы также знаем, что первый процессорный кластер будет работать на частоте до 3 ГГц, а второй — до 2,4 ГГц. Кроме того, Snapdragon 835 будет поддерживать дисплеи разрешением до 4К, сдвоенные камеры, четырехканальную оперативную память LPDDR4x, флэш-память UFS 2.1. Данная SoC получит модем Qualcomm Snapdragon X16 LTE, который поддерживает LTE Cat 16 (скорость передачи данных до 1 Гбит/с).

Snapdragon 660, которая будет производиться по нормам 14 нм, получит четыре ядра Cortex A73 и четыре Cortex A53, которые будут работать на частоте до 2,2 и 1,9 ГГц соответственно. В качестве GPU будет выступать Adreno 512, SoC будет поддерживать дисплеи разрешением до 2К и LTE Cat 10.

Появление Snapdragon 835 на рынке ожидается во втором квартале 2017 года, Snapdragon 660 выйдет в третьем квартале.

Источник:
Gizmochina ^[3]

Источник ^[4]