- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
В октябре [1] компания Samsung приступила к производству первых в отрасли микросхем памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ, предназначенных в первую очередь для мобильных устройств.
Теперь же компания SK Hynix первой наладила выпуск микросхем памяти LPDDR4X DRAM аналогичного объёма. Микросхемы включают в себя четыре кристалла плотностью 16 Гбит.
Такая память работает при напряжении всего 0,6 В против 1,1 В у LPDDR4, что значительно снижает энергопотребление микросхем. При подключении к 64-разядной шине памяти пропускная способность данных достигает 34,1 ГБ/с. Также эти микросхемы выделяются самыми маленькими в сегменте корпусами размером 12 х 12,7 мм при толщине менее 1 мм. Компания отмечает, что микросхемы будут использоваться не только в смартфонах и планшетах, но и в ноутбуках верхнего ценового сегмента и автомобильной электронике.
Источник:
SK Hynix [2]
Источник [3]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/231538
Ссылки в тексте:
[1] В октябре: http://www.ixbt.com/news/2016/10/20/samsung-lpddr4-dram-8.html
[2] SK Hynix: https://www.skhynix.com/eng/pr/pressReleaseView.do?seq=1969&offset=1
[3] Источник: http://www.ixbt.com/news/2017/01/09/sk-hynix-lpddr4x-8.html
Нажмите здесь для печати.