Рынок энергонезависимой памяти с произвольным доступом находится на пороге взрывного роста, полагают эксперты Forward Insights

Современные технологии памяти, основанные на хранении электрического заряда и реализованные в полупроводниковых микросхемах типа SRAM, DRAM, NOR и NAND, сталкиваются с трудностями при переходе к технологическим нормами менее 20 нм. Результатом стало повышение в течение последнего десятилетия активности исследований, направленных на разработку альтернативных технологий памяти.

По мнению специалистов аналитической компании Forward Insights, изучивших тему и подготовивших подробный отчет, наиболее перспективной является технология магниторезистивной памяти — MRAM.

К ключевым преимуществам этой памяти, в которой для хранения информации используется не электрический заряд, а изменение состояния вещества, относятся энергонезависимость и высокая производительность. С этой точки зрения, MRAM объединяет достоинства оперативной памяти с произвольным доступом и флэш-памяти. От последней MRAM отличается высокой надежностью и большим сроком службы.

К сожалению, широкую коммерциализацию MRAM сдерживает более высокая стоимость, меньшая плотность по сравнению с конкурирующими технологиями, что ограничивает область применения MRAM. Кроме того, по сравнению с SRAM эта память имеет большее энергопотребление в активном режиме.

Признаком изменения ситуации аналитики считают появление первых образцов магнитной памяти с произвольным доступом, в которой используется эффект передачи момента спина (spin torque transfer magnetic random access memory, STT-MRAM). Открывая пусть к масштабируемости, STT-MRAM имеет потенциал более широкого распространения, охватывающего массовые потребительские приложения. Как следствие, заключают эксперты Forward Insights, рынок энергонезависимой памяти с произвольным доступом находится на пороге взрывного роста. Наблюдать рост можно будет уже в ближайшие несколько лет.

О предпосылках к росту наши постоянные читатели могут судить и самостоятельно. В 2010 году специалисты Fujitsu и университета Торонто ^[1] сообщили о разработке первого в мире высоконадежного способа чтения STT-MRAM. Осенью 2011 года появилась информация, что память STT-MRAM будут совместно разрабатывать Micron и A*STAR ^[2]. В прошлом месяце мы сообщали, что специалисты Toshiba создали элемент памяти STT-MRAM с самым маленьким в мире энергопотреблением ^[3], что открывает путь памяти STT-MRAM в кэш-память процессоров, где она поможет снизить энергопотребление, заменив память SRAM. А ноябрь прошлого года был отмечен сообщение о том, что компания Everspin начала выпуск первых микросхем памяти STT-MRAM для высокопроизводительных систем хранения ^[4].

Источник: Forward Insights ^[5]