- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

Tsinghua Unigroup рассчитывает освоить выпуск 18-нанометровой памяти DRAM и 64-слойной памяти 3D NAND

Компания Tsinghua Unigroup, в январе сообщившая о намерении вложить 30 млрд долларов в постройку завода по выпуску микросхем памяти [1], планирует освоить выпуск 18-нанометровой памяти DRAM.

Китайский государственно-частный производитель ведет переговоры с ведущими производителями этой продукции, включая Micron Technology и SK Hynix, о возможном технологическом сотрудничестве.

Китайский государственно-частный производитель ведет переговоры с ведущими производителями DRAM

Как известно, Tsinghua Unigroup рассчитывает в ближайшие годы войти в тройку [2] крупнейших производителей полупроводниковой продукции. В компании подтвердили, что до конца года должны быть готовы образцы 32-слойной флэш-памяти 3D NAND. Кроме того, запланирована разработка 64-слойной флэш-памяти 3D NAND.

Источник: CDR info [3]

Источник [4]

Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/252809

Ссылки в тексте:

[1] вложить 30 млрд долларов в постройку завода по выпуску микросхем памяти: http://www.ixbt.com/news/2017/01/20/tsinghua-unigroup-30.html

[2] Tsinghua Unigroup рассчитывает в ближайшие годы войти в тройку: http://www.ixbt.com/news/2015/11/16/tsinghua-unigroup-47.html

[3] CDR info: http://cdrinfo.com/Sections/News/Details.aspx?NewsId=52375

[4] Источник: http://www.ixbt.com/news/2017/04/15/tsinghua-unigroup-18-dram-64-3d-nand.html