Samsung готова производить полупроводниковую продукцию по 10-нанометровой технологии второго поколения

Компания Samsung сообщила о том, что готова к производству полупроводниковой продукции по 10-нанометровой технологии FinFET второго поколения. Она называется 10LLP (Low Power Plus).

Улучшенная технология позволяет на 10% повысить производительность либо на 15% снизить энергопотребление какого-либо решения в сравнении с ним же, но произведённым по 10-нанометровой технологии первого поколения.

Напомним, на данный момент Samsung выпускает SoC Snapdragon 835 и Exynos 8895, используя как раз технологические нормы 10 нм в первой своей инкарнации, называемой 10LPE.

Чтобы удовлетворить спрос партнёров, Samsung приступила к монтажу производственного оборудования на новой линии фабрики в Хвасоне. Ожидается, что линия будет готова в четвёртом квартале текущего года.

Источник:
Samsung ^[1]

Источник ^[2]