- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Sony Semiconductor Solutions рассказала о разработках, относящихся к памяти ReRAM, объединяющей достоинства DRAM и NAND. Разработанные специалистами Sony ключевые технологии, как утверждается, позволят выпускать микросхемы памяти ReRAM высокой плотности.
В памяти, созданной Sony Semiconductor Solutions, используются ионы меди. Конструкция ячейки включает всего один элемент для выборки и один резистивный элемент (структура 1S1R). Это дает возможность изготавливать память в виде простой матрицы пересекающихся линий и компоновать такие матрицы в несколько слоев, наращивая плотность.
Одна из новых разработок — барьер между резервуаром ионов и электролитом, уменьшающий неравномерность сопротивления. За счет него удается увеличить плотность хранения.
Вторая технология — легирование элемента выборки бором и углеродом, за счет чего уменьшается ток утечки и увеличивается ресурс.
По оценке Sony Semiconductor Solutions, разработанные технологии позволят выпускать память ReRAM с временем записи 100 нс, ресурсом 10 млн циклов и плотностью около 100 Гбит.
Ожидается, что ReRAM заполнит нишу между DRAM и NAND по стоимости, производительности и степени интеграции.
Источник: Nikkei BP [1]
Источник [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/258955
Ссылки в тексте:
[1] Nikkei BP: http://techon.nikkeibp.co.jp/atclen/news_en/15mk/062701422/?n_cid=nbptec_tecrs
[2] Источник: http://www.ixbt.com/news/2017/06/27/sony-reram-100.html
Нажмите здесь для печати.