- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

Компания Toshiba представила 96-слойную память 3D TLC NAND, выпуск которой она надеется начать в будущем году

Компания Toshiba Memory Corporation сообщила о создании прототипа микросхемы 96-слойной флэш-памяти BiCS FLASH с объемной компоновкой. Каждая ячейка этой памяти хранит три бита информации. Ознакомительные образцы микросхем 96-слойной флэш-памяти 3D TLC NAND плотностью 256 Гбит должны появиться во втором полугодии, а серийный выпуск производитель рассчитывает начать в 2018 году.

Новая память подходит для потребительских и корпоративных SSD, смартфонов, планшетов и карт памяти

Как утверждается, новая память подходит для потребительских и корпоративных SSD, смартфонов, планшетов и карт памяти.

В планах производителя — выпуск 96-слойных микросхем плотностью 512 Гбит и внедрение технологии QLC, позволяющей хранить в каждой ячейке четыре бита.

По сравнению с 64-слойной памятью BiCS FLASH [1] удельная плотность хранения увеличена на 40%. Это позволяет изготавливать больше памяти из одной пластины и уменьшить стоимость в расчете на бит.

Выпуск 96-слойной памяти BiCS FLASH планируется освоить на фабрике Fab 5, открытой примерно год назад фабрике Fab 2 [2] и на фабрике Fab 6 [3], которая должна заработать летом будущего года.

Источник: Toshiba [4]

Источник [5]


Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/259004

Ссылки в тексте:

[1] 64-слойной памятью BiCS FLASH: http://www.ixbt.com/news/2017/02/22/toshiba-64-3d-nand-bics-64.html

[2] фабрике Fab 2: http://www.ixbt.com/news/2016/07/15/toshiba-western-digital-new-fab-2.html

[3] фабрике Fab 6: http://www.ixbt.com/news/2017/02/09/nachalos-stroitelstvo-novoj-fabriki-toshiba-kotoraja-budet-vypuskat-fljeshpamjat-s-obemnoj-komponovkoj.html

[4] Toshiba: https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2017/06/memory-20170628-2.html

[5] Источник: http://www.ixbt.com/news/2017/06/28/toshiba-96-3d-tlc-nand.html