Компания UMC готова выпускать микросхемы со встроенной флэш-памятью SST по нормам 40 нм

Компания United Microelectronics Corporation (UMC), занимающаяся контрактным производством полупроводниковой продукции, объявила о доступности фирменного 40-нанометрового техпроцесса, позволяющего интегрировать в микросхемы флэш-память Silicon Storage Technology (SST) SuperFlash. По сравнению с 55-нанометровым техпроцессом SST, сейчас используемым UMC для серийного производства продукции, новый техпроцесс обеспечивает уменьшение размера ячейки eFlash более чем на 20% и площади всей интегрированной памяти на 20-30%.

Компания Toshiba уже рассматривает возможность выпуска своих микроконтроллеров по 40-нанометровой технологии SST на мощностях UMC.

По 55-нанометровой технологии SST компания UMC изготавливает микросхемы для SIM-карт и банковских продуктов, а также контроллеры для автомобильной электроники и устройств IoT.

Встроенная память SST выдерживает 100 000 перезаписей, сохраняет информацию более 10 лет при температуре +85°C и сохраняет работоспособность в диапазоне температур от -40°C до +125°C.

Источник ^[1]