Samsung уже разрабатывает технологию MBCFET, которая сменит FinFET на этапе 3 нм

Компания Samsung Electronics в ходе ежегодного мероприятия Samsung Foundry Forum опубликовала план освоения норм техпроцесса вплоть до 3 нм.

Он включает разработку техпроцессов 7LPP (7 нм, Low Power Plus), 5LPE (5 нм Low Power Early), 4LPE / LPP (4 нм, Low Power Early / Plus) и технологии 3GAAE / GAAP (3 нм Gate-All-Around Early / Plus).

^[1]

Техпроцесс 7LPP станет первым, на котором Samsung начнет использовать для выпуска полупроводниковой продукции литографию в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). По словам компании, этот техпроцесс будет готов к производству во второй половине 2018 года. Техпроцесс 5LPE станет развитием 7LPP и позволит повысить размеры кристаллов и уменьшить энергопотребление.

Техпроцессы 4LPE / LPP станут последними, когда Samsung рассчитывает использовать структуру транзисторов FinFET. Далее предполагается переход к технологии GAA, позволяющей преодолеть физические ограничения, свойственные FinFET. Компания Samsung уже разрабатывает собственный вариант GAA, получивший обозначение MBCFET (multi-bridge-channel FET).

Источник ^[2]