- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Samsung Electronics сегодня сообщила о начале массового производства первых в индустрии модулей оперативной памяти DDR4 SoDIMM, которые создаются на базе 10-нанометрового технологического процесса. Новинки предназначены для высопроизводительных ноутбуков.
Модули памяти включают 16 микросхем DDR4 DRAM плотностью 16 Гбит (2 ГБ), расположенных по 8 с каждой стороны. Компания Samsung выпустила модули памяти SoDIMM объемом 16 ГБ в 2014 году, при их производстве применялся 20-нанометровый технологический процесс. Новая памяти, предлагая пользователям вдвое больший объем, также обеспечивает прирост скорости на 11% и снижение энергопотребления на 39%.
Суммарная мощность работы двух подобных модулей, установленных в игровом ноутбуке, в активном режиме не превышает 4,6 Вт. В режиме ожидания — 1,4 Вт.
Кромое того, новые модули оперативной памяти Samsung DDR4 SoDIMM объемом 32 ГБ обеспечивают игровые ноутбуки скоростью до 2666 Мбит/с.
Источник [1]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/281314
Ссылки в тексте:
[1] Источник: https://www.ixbt.com/news/2018/05/30/samsung-ddr4-sodimm-32.html
Нажмите здесь для печати.