- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
В недавней презентации для инвесторов, подготовленной Samsung, источник обнаружил интересный фрагмент, касающийся фабрики S4. Следует уточнить, что эта фабрика используется для выпуска датчиков изображения типа CMOS.
Итак, в презентации сказано, что датчики на фабрике S4 изготавливаются с использованием норм «45 нм и менее», а в феврале началось строительство линии, где будет внедрена литография в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
Известно, что Samsung уже выпускает датчики изображения по нормам 28 нм. Вероятно под «менее 45 нм» составители презентации подразумевают именно 28-нанометровый техпроцесс.
В производстве логических микросхем и памяти уже освоены более тонкие нормы и переход к EUV ожидается на этапе 7 нм. Похоже, что в случае датчиков изображения он произойдет на этапе 22 нм. Дело в том, что на этапе 22 нм обычно начинают применять двойное шаблонирование, и выбор в пользу EUV позволит избежать ограничений этого подхода.
Источник [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/284088
Ссылки в тексте:
[1] Image: https://www.pvsm.ru/img/n1/news/2018/5/2/575448-inside-fab-8-globalfoundries_large.jpg
[2] Источник: https://www.ixbt.com/news/2018/06/26/samsung-budet-ispolzovat-euv-v-proizvodstve-datchikov-izobrazhenija.html
Нажмите здесь для печати.