Samsung и SK Hynix ускоряют перевод производства DRAM на технологию EUV

По сообщениям южнокорейских СМИ, компании Samsung Electronics и SK Hynix ускоряют перевод производства DRAM на технологию литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).

Компания Samsung недавно объявила о завершении разработки технологического процесса 7LPP ^[1] и начале производства полупроводниковой продукции с его использованием. Этот 7-нанометровый техпроцесс, оптимизированный по критерию энергопотребления, построен на использовании EUV. На очереди — внедрение технологии EUV в производстве DRAM. В отличие от логических микросхем, в случае микросхем памяти внедрение технологии EUV планируется на этапе «10-нанометрового класса» (1у нм), после чего технологические нормы будут уменьшены.

Компания SK Hynix объявила о планах освоения разрабатываемой сейчас технологии EUV на новой фабрике DRAM, которая будет построена в Ичеон-Сити.

Ожидается, что переход к EUV в производстве DRAM даст компаниям, первыми освоившим эту технологию, конкурентное преимущество, поскольку позволит на только повысить производительность и энергетическую эффективность микросхем, но и увеличить информационный объем в расчете на каждую пластину, что значительно снизит себестоимость продукции.

Источник ^[2]