- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Как сообщает источник, компания Samsung рассказала о планах на развитие своих полупроводниковых технологий.
Уже в 2021 году компания намерена начать производство продукции с использованием трёхнанометрового техпроцесса с технологией GAAFET (Gate All Around FET). Технология GAA находится в разработке ещё с 2000 года. Транзисторы GAA имеют четыре затвора, что позволяет преодолеть физические ограничения по масштабированию.
О планах по внедрению GAAFET корейский гигант говорил ещё в мае 2017 года, но тогда говорилось о техпроцессе 4 нм и 2020 году. Источник отмечает, что тогда специалисты выразили сомнения, что Samsung сможет начать производство по новой технологии ранее 2022 года, но, если ориентироваться на данные источника, это всё-таки произойдёт в 2021 году.
Подробностей о том, какая именно продукция первой перейдёт на новый техпроцесс, нет.
Источник [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/305014
Ссылки в тексте:
[1] Image: https://www.pvsm.ru/img/n1/news/2019/0/6/GAAFET_large.png
[2] Источник: http://www.ixbt.com/news/2019/01/12/uzhe-cherez-dva-goda-samsung-nachnjot-proizvodstvo-poluprovodnikovoj-produkcii-po-tehprocessu-3-nm.html
Нажмите здесь для печати.