- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

На заводе «Ангстрем-Т» освоена технология Trench MOSFET

Российское предприятие «Ангстрем-Т» сообщило об освоении современной технологии полупроводникового производства. Речь идет о технологии силовых транзисторов Trench MOSFET. В настоящий момент в России только «Ангстрем-Т» может выпускать транзисторы такого типа.

На заводе «Ангстрем-Т» освоена технология Trench MOSFET [1]

Транзисторы Trench MOSFET широко используются в электронной технике, будучи ключевыми компонентами преобразователей и регуляторов напряжения в цепях электропитания. Они качественно превосходят планарные силовые транзисторы, позволяя конструировать устройства с больше энергетической эффективностью, меньшей массой и габаритами. Рост рынка электроники и переход к электромобилям обуславливают стабильно растущий спрос на силовые транзисторы.

«Ангстрем-Т» располагает мощностями, на которых можно выпускать полупроводниковые изделия по топологическим нормам 250, 130 и 90 нм.

Источник [2]


Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/306659

Ссылки в тексте:

[1] Image: https://www.pvsm.ru/img/n1/news/2019/0/0/Capture_0_large.JPG

[2] Источник: http://www.ixbt.com/news/2019/01/27/na-zavode-angstremt-osvoena-tehnologija-trench-mosfet.html