Производители увеличивают число слоев флеш-памяти 3D NAND, надеясь сократить выпуск и повысить цены

По сообщению источника, производители флеш-памяти ускоряют освоение серийного производства кристаллов 3D NAND со 120 или 128 слоями. Они рассчитывают начать массовый выпуск этой продукции в 2020 году.

^[1]

При этом Toshiba и Western Digital планируют выпускать 128-слойные кристаллы TLC, то есть хранящие в одной ячейке три бита, а не QLC (четыре бита на ячейку), поскольку хотят избежать проблем с низким выходом годной продукции, свойственных нынешним реализациям QLC.

^[1]

Стремление ускорить развертывание производства NAND следующего поколения продиктовано тем, что на рынке все еще наблюдается переизбыток флеш-памяти NAND — в основном, 64-слойной. Новая память будет дороже (средняя цена продажи в расчете на единицу продукции), а для получения того же информационного объема ее нужно будет выпустить меньше. Таким образом, производители рассчитывают сократить выпуск  до такой степени, чтобы иметь возможность начать повышать цены.

Источник ^[2]