У Samsung готова 7-нанометровая технология EUV

Компания TSMC первой среди производителей полупроводниковой продукции освоила выпуск продукции по нормам 7 нм. И хотя формально это 7-нанометровая продукция, ее характеристики они находятся на тех же уровнях, которые ожидаются от 10-нанометровой продукции Intel. В компании Samsung сознательно предпочли замедлить работу над техпроцессом, эквивалентным 7-нанометровому техпроцессу TSMC первого поколения, чтобы сосредоточиться на внедрении экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV). Судя по последним данным, освоение EUV в Samsung идет по плану.

^[1]

Отчет исследователей Samsung, опубликованный на симпозиуме по VLSI, свидетельствует, что 7-нанометровая технология EUV готова к серийному производству, а по энергетической эффективности продукции она превосходит обычную 7-нанометровую технологию. В частности, компания представила график, позволяющий сравнить напряжение пробоя для трех техпроцессов. Говоря простым языком, чем круче проходит прямая, тем выше энергетическая эффективность. На иллюстрации видно, что 7-нанометровая технология EUV, созданная в Samsung, превосходит по этому показателю своих предшественниц.

^[2]

Кроме того, южнокорейский производитель продемонстрировал образцы SRAM и представил данные об устойчивости микросхем, изготовленных по 7-нанометровой технологии EUV, к высоким температурам.

Источник ^[3]