Тайваньские исследователи создали самый высокочастотный транзистор в мире

Группе специалистов, возглавляемой профессором тайваньского университета NCTU (National Chiao Tung University) удалось создать транзистор типа HEMT (high electron mobility transistor — транзистор с высокой подвижностью электронов), способный работать не более высокой частоте, чем все остальные транзисторы. Речь идет о частоте 710 ГГц.

По словам исследователей, новые транзисторы могут найти применение в системах формирования изображений и биомедицинском тестировании. Как утверждается, их использование будет способствовать уменьшению энергопотребления электронных устройств, поможет повысить разрешение изображений, получаемых при сканировании атмосферы и в космических исследованиях.

Рассчитывая внедрить свои разработки, ученые сотрудничают с компанией Panasonic и американскими компаниями, работающими в аэрокосмической отрасли.

Источник: Focus Taiwan ^[1]