- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -

Samsung Electronics выпускает первый твердотельный накопитель, в котором используется флеш-память V-NAND шестого поколения с более чем 100 слоями

Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска твердотельного накопителя объемом 250 ГБ, в котором используется флеш-память V-NAND шестого поколения с более чем 100 слоями (производитель использует обозначение 1xx). В накопителе с интерфейсом SATA используются микросхемы плотностью 256 Гбит, способные хранить три бита в каждой ячейке.

Samsung Electronics выпускает первый твердотельный накопитель, в котором используется флеш-память V-NAND шестого поколения с более чем 100 слоями [1]

При изготовлении микросхем применяется уникальная технология Samsung «травление отверстия канала» (channel hole etching), которая позволила увеличить количество ячеек на 40% по сравнению с микросхемами с числом слоев 9x. Суть технологии заключается в формировании электропроводящего «стека» из 136 слоев, который сверху донизу пронизывают вертикальные цилиндрические отверстия, создавая однородные трехмерные ячейки с зарядовой ловушкой (CTF). По мере увеличения высоты структуры микросхема NAND становится более уязвимой к ошибкам и задержкам чтения. Чтобы преодолеть это ограничение, специалисты Samsung оптимизировали управляющую схему по скорости передачи данных: в результате операция записи занимает менее 450 мкс, чтения — менее 45 мкс. По сравнению с предыдущим поколением достигнуто повышение производительности более чем на 10% при одновременном снижении энергопотребления более чем на 15%.

Samsung Electronics выпускает первый твердотельный накопитель, в котором используется флеш-память V-NAND шестого поколения с более чем 100 слоями [2]

В Samsung уверены, что оптимизированная по скорости схема позволит выпускать решения V-NAND следующего поколения, в которых будет более 300 слоев, просто объединив три описанных «стека».

Кроме того, количество канальных отверстий, необходимых для кристалла плотностью 256 Гбит, уменьшено по сравнению с предыдущим поколением с 930 млн до 670 млн штук. Это позволило уменьшить размеры микросхемы и число этапов техпроцесса, что привело к повышению производительности труда более чем на 20%.

Во второй половине этого года компания рассчитывает выпустить SSD объемом 512 ГБ и модули eUFS, в которых будет использоваться такая же память V-NAND шестого поколения. На будущий год планируется расширение производства этой памяти на южнокорейском предприятии Samsung.

Источник [3]


Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru

Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/326164

Ссылки в тексте:

[1] Image: https://www.pvsm.ru/img/n1/news/2019/7/2/Samsung-V6-SSD_1_large.jpg

[2] Image: https://www.pvsm.ru/img/n1/news/2019/7/2/Samsung-V6-SSD_2_large.jpg

[3] Источник: http://www.ixbt.com/news/2019/08/06/samsung-electronics-v-nand-100.html