Micron начинает серийный выпуск DRAM по нормам 1z нм

Компания Micron Technology объявила о начале серийного производства микросхем памяти DRAM DDR4 плотностью 16 Гбит по нормам 1z нм. Micron — первый производитель, освоивший нормы 1z нм.

По словам производителя, новое поколение норм 10-нанометрового класса «обеспечивает существенно более высокую плотность, а также значительное повышение производительности и более низкую стоимость по сравнению с предыдущим поколением 1y нм».

Компания будет использовать новый техпроцесс для компьютерной памяти DDR4, мобильной LPDDR4 и графической GDDR6. В случае упомянутых микросхем DDR4 плотностью 16 Гбит переход на нормы 1z обеспечил снижение энергопотребления примерно на 40% по сравнению с памятью предыдущего поколения плотностью 8 Гбит.

Источник ^[1]