Компания Micron Technology представила монолитную память LPDDR4X DRAM плотностью 16 Гбит

Компания Micron Technology представила монолитную память LPDDR4X DRAM плотностью 16 Гбит. Это максимальная плотность в отрасли. Используя восемь таких кристаллов, можно изготовить микросхему, позволяющую включить в конфигурацию смартфона 16 ГБ ОЗУ.

Новые кристаллы изготавливаются по нормам 1z нм ^[1]. Они поддерживают скорость до 4266 Мбит/с в расчете на линию и потребляют на 10% меньше энергии, чем решения предыдущего поколения.

Кристаллы Micron LPDDR4X также доступны в составе многокристальных компонентов на основе UFS (uMCP4). Эти сборки предназначены для мобильных устройств, поскольку позволяют получить низкое энергопотребление для увеличения автономности и уменьшить толщину устройства. Всего доступно восемь конфигураций uMCP4, от варианта с 64 ГБ флеш-памяти и 3 ГБ оперативной памяти до варианта с 256 ГБ флеш-памяти и 8 ГБ оперативной памяти.

Компания Micron уже начала серийные поставки кристаллов LPDDR4X и компонентов uMCP4.

Источник ^[2]