Новая разработка Samsung позволит создавать 24-гигабайтные микросхемы HBM2

Компания Samsung Electronics сегодня сообщила о том, что первой в отрасли разработала 12-слойную технологию 3D-TSV. Речь о технологии упаковки микросхем памяти, которая позволяет разместить в одном стеке 12 микросхем DRAM.

^[1]

В данном случае используется трёхмерная компоновка с более чем 60 000 отверстий TVS для передачи данных между слоями. При этом толщина упаковки осталась такой же, какой была для восьмислойных стеков памяти HBM2 — 720 мкм. Это позволит производителям увеличить объём памяти в своих продуктах без необходимости изменять конфигурации систем охлаждения, корпусов и прочего.

^[1]

Новая технология, кроме прочего, позволит Samsung создавать 12-слойные модули HBM2 объёмом 24 ГБ против текущих восьмигигабайтных решений. В частности, это явно пригодится производителям профессиональных графических ускорителей. К сожалению, Samsung не уточняет, когда сможет наладить массовое производство подобных модулей памяти.

Источник ^[2]