Компания Micron передала в производство первые микросхемы 128-слойной флеш-памяти 3D NAND с новой архитектурой ячеек

По данным источника, компания Micron передала в производство первые микросхемы памяти 3D NAND четвертого поколения, в которых применена новая архитектура — RG (replacement gate), которая сменит используемую сейчас технологию плавающего затвора. В отличие от последней, технология RG была разработана Micron не совместно с Intel, а самостоятельно.

В новой памяти насчитывается до 128 слоев. Переход к новой архитектуре позволяет уменьшить размеры кристалла и производственные затраты. Кроме того, он облегчает освоение последующих поколений технологии.

Передача в производство свидетельствует, что производитель успешно продвигается к цели — освоить коммерческий выпуск памяти 3D NAND четвертого поколения в 2020 году.

В то же время, компания предупреждает, что первое время выпуск памяти на новой архитектуре будет ограничен и мало скажется на цене 3D NAND. Существенное снижение цен ожидается в 2021 финансовом году (у Micron он начнется в конце сентября 2020 года), когда новая архитектура уже второго поколения начнет применяться в широком масштабе. А пока Micron наращивает производство 96-слойной флеш-памяти 3D NAND, под которое в 2020 финансовом году будет отведено подавляющее большинство производственных линий.

Источник ^[1]