- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания SK hynix сообщила о разработке памяти DRAM DDR4 плотностью 16 Гбит, рассчитанной на выпуск по нормам 1Z нм. По словам производителя, это наибольшая плотность одного кристалла DDR4, а с учетом норм достигнут еще и рекордный объем в расчете на одну пластину.
Как утверждается, новое поколение норм 10-нанометрового класса позволяет увеличить выход памяти с каждой пластины примерно на 27% по сравнению с предыдущим поколением 1Y нм. При этом не используется EUV-литография, что положительно сказывается на затратах.
Новая память поддерживает скорости до DDR4-3200. Что касается энергетической эффективности, модуль на новых микросхемах потребляет примерно на 40% меньше энергии по сравнению с модулем того же объема, в котором используется память предыдущего поколения плотностью 8 Гбит.
Серийный выпуск кристаллов памяти DRAM DDR4 плотностью 16 Гбит по нормам 1Z нм должен начаться в будущем году. Компания также планирует использовать новую технологию для выпуска памяти LPDDR5 и HBM3.
Источник [4]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/333936
Ссылки в тексте:
[1] Image: https://www.pvsm.ru/img/n1/news/2019/9/1/SK_hynix_Develops_1Znm_16Gb_DDR4_DRAM_1_large.jpg
[2] Image: https://www.ixbt.com/news/2019/03/21/samsung-dram-10.html?utm_medium=widget&utm_source=ixbt&utm_campaign=seealso
[3] Image: https://www.ixbt.com/news/2019/08/16/micron-dram-1z.html?utm_medium=widget&utm_source=ixbt&utm_campaign=seealso
[4] Источник: https://www.ixbt.com/news/2019/10/21/sk-hynix-dram-ddr4-16-1z.html
Нажмите здесь для печати.