Globalfoundries и SiFive работают над интеграцией памяти HBM2E в однокристальные системы, изготавливаемые с применение техпроцесса 12LP+

Компании Globalfoundries и SiFive объявили, что разрабатывают решение, которое позволит оснащать высокоскоростной памятью HBM2E однокристальные системы, рассчитанные на выпуск с применением недавно представленного Globalfoundries техпроцесса 12LP+. Этот техпроцесс построен на использовании транзисторов FinFET и оптимизирован по критерию энергопотребления продукции. Интеграция будет обеспечиваться с помощью технологии объемной компоновки 2.5D. Предполагается, что однокристальные системы с памятью HBM2E будут востребованы в задачах искусственного интеллекта.

^[1]

Основой разработки является настраиваемый интерфейс памяти SiFive с высокой пропускной способностью, оптимизированный для платформ 12LP и 12LP+.  Разработчикам будет предоставлен доступ к портфелю IP-ядер SiRive RISC-V и экосистеме DesignShare IP, что позволит воспользоваться преимуществами оптимизации, повысить эффективность проектирования и с минимальными затратами выпускать различные варианты SoC.

Разработку планируется завершить в первом полугодии 2020 года.

Источник ^[2]