Компания SK hynix представила инженерные образцы решений на 128-слойной флеш-памяти TLC 4D NAND

В июне этого года компания SK hynix сообщила, что первой в отрасли начала серийный выпуск 128-слойной флеш-памяти TLC 4D NAND плотностью 1 Тбит ^[1]. Эту память компания использовала, чтобы создать ультратонкие накопители объемом 1 ТБ и более со сверхнизким энергопотреблением. Вчера производитель представил инженерные образцы трех изделий.

^[2]

Первое — встраиваемый накопитель UFS 3.1 объемом 1 ТБ и толщиной всего 1,0 мм, предназначенный для смартфонов с поддержкой 5G. Ожидается, что смартфоны, оснащенные такими накопителями, появятся на рынке во второй половине следующего года. Контролер и встроенное ПО этого накопителя также разработаны специалистами SK hynix. В нем реализована Write Booster, являющаяся новым отраслевым стандартом и удваивающая скорость последовательной записи.

^[3]

Накопитель cSSD объемом 2 ТБ предназначен для тонких ноутбуков и игровых ПК. Он характеризуется рекордной энергетической эффективностью. Скорость передачи данных 1200 Мбит/с достигается при напряжении питания всего 1,2 В, а потребляемая мощность составляет 2 Вт, что вдвое меньше потребляемой мощности подобного накопителя на 96-слойной флеш-памяти. Накопитель типоразмера M.2 оснащен интерфейсом PCIe Gen3. Ожидается, что основные производители начнут использовать эти накопители в первом полугодии 2020 года.

^[4]

Третья новинка — это накопитель eSSD объемом 16 ТБ, выполненный в типоразмере E1.L, стандартном для центров обработки данных следующего поколения. Он оснащен интерфейсом PCIe и поддерживает протокол NVMe 1.4. Благодаря использованию встроенного контроллера и встроенного ПО SK hynix, он обеспечивает последовательное чтение со скоростью 3400 МБ/с и последовательную запись со скоростью 3000 МБ/с. Ожидается, что серийное производство этих накопителей продукта начнется во второй половине следующего года.

^[5]

Данные о ресурсе и цены производитель не приводит.

Источник ^[6]