У Samsung готовы первые в мире 3-нанометровые транзисторы GAAFET

Наиболее передовым техпроцессом, освоенным TSMC и Samsung в серийном производстве, является 7-нанометровый. Сейчас компания TSMC инвестирует значительные средства в 5-нанометровый техпроцесс, который, по неофициальным данным, будет использован для выпуска SoC Apple A14 — основы смартфона iPhone 12.

По сообщению источника, ссылающегося на корейское агентство Maeil Economy, компания Samsung не отстает от конкурента на рынке полупроводникового производства. Она добилась успеха в разработке 3-нанометрового техпроцесса. Этот шаг является частью стратегии Samsung на пути к амбициозной цели — стать крупнейшим в мире производителем полупроводниковой продукции к 2030 году.

Ключом к переходу на нормы 3 нм стала технология Gate All Around (GAAFET), которая сменит используемую сейчас технологию FinFET.

^[1]

GAAFET отличается от FinFET тем, что канал окружен затвором не с трех сторон, а с четырех, за счет чего уменьшаются утечки и улучшается управление каналом. Появляется возможность уменьшить размеры транзистора и повысить энергетическую эффективность.

Как утверждается, переход на GAAFET 3 нм позволяет уменьшить размер кристалла на 35% по сравнению с FinFET 5 нм и снизить энергопотребление на 50% или повысить производительность на 33%.

Год назад компания Samsung рассказала о планах ^[2] развития технологии полупроводникового производства, которыми предусмотрено начать серийный выпуск продукции по 3-нанометровой технологии GAAFET в 2021 году. Судя по последним новостям, реализация планов идет успешно.

Источник ^[3]