- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Kioxia сообщила о завершении разработки пятого поколения флеш-памяти BiCS FLASH. Эта флеш-память с объемной компоновкой насчитывает 112 слоев. Уже в текущем квартале производитель планирует начать поставки ознакомительных образцов микросхем новой памяти плотностью 512 Гбит (64 ГБ), способных хранить три бита в каждой ячейке (TLC). В перспективе планируется выпуск микросхем большей плотности — 1 Тбит в случае TLC и 1,33 Тбит в случае QLC.
По словам Kioxia, новая память предназначена для широкого круга применений, включая мобильные устройства, потребительские и корпоративные твердотельные накопители, а также новые области применения, появляющиеся с развитием сетей 5G, искусственного интеллекта и самоуправляемых транспортных средств.
Переход от 96-слойной структуры к 112-слойной выкупе со схемотехническими и технологическими улучшениями позволил повысить плотность компоновки примерно на 20%. Новая технология снижает стоимость в расчете на информационный объем и увеличивает информационный объем в расчете на пластину. Кроме того, на 50% повышается скорость работы интерфейса, улучшаются показатели чтения и записи.
Пятое поколение BiCS FLASH было разработано совместно с Western Digital. Выпускать новые микросхемы будут фабрика Kioxia в Йоккаити и новое предприятие в Китаками [1].
Источник [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/345164
Ссылки в тексте:
[1] новое предприятие в Китаками: https://www.ixbt.com/news/2019/05/17/toshiba-memory-western-digital.html
[2] Источник: http://www.ixbt.com/news/2020/01/31/kioxia-112-3d-tlc-nand.html
Нажмите здесь для печати.