Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до норм 12 нм

Компания Everspin Technologies сообщила о дополнении соглашения с GlobalFoundries (GF), предусматривающего совместную разработку магниторезистивной памяти с переносом момента (Spin-Transfer Torque MRAM или STT-MRAM). Компании Everspin и GF выступали партнерами по разработке и производству STT-MRAM по нормам 40 нм, 28 нм и 22 нм. Дополнение к соглашению продлевает его на этап 12 нм.

Сейчас GF занимается производством дискретных решений STT-MRAM с использованием 40-нанометрового и 28-нанометрового техпроцессов, включая микросхемы плотностью 1 Гбит с интерфейсом DDR4.

^[1]

Everspin является ведущим разработчиком MRAM и имеет более 650 патентов и заявок в этой области. Это единственный производитель дискретных изделий MRAM. По собственным подсчетам Everspin, уже отгружено более 125 млн микросхем MRAM, а число заказчиков превысило 1000. К плюсам MRAM относится, в частности, защита от потери данных при отключении питания без использования ионисторов или аккумуляторов. Эта память подходит для хранения как кода, так и данных.

Источник ^[2]