Техпроцесс TSMC N3 позволит разместить на 1 кв. мм почти 300 млн транзисторов

Публикуя недавний квартальный отчет, компания TSMC впервые начала публиковать некоторые факты о своем 3-нанометровом техпроцессе, получившем обозначение N3. Вопреки неофициальной информации ^[1], производитель утверждает, что разработка техпроцесса идет по плану. Рисковое производство запланировано на 2021 год, а серийный выпуск продукции в TSMC рассчитывают ^[2] начать во второй половине 2022 года. Интересно, что после оценки всех возможных вариантов было решено продолжить использовать на этапе 3 нм транзисторы FinFET. По словам производителя, это проверенная технология, обеспечивающая высокую производительность и ценовое преимущество.

^[3]

По плотности размещения элементов N3 в 1,7 раза превзойдет техпроцесс N5. По оценке источника, это означает, что техпроцесс TSMC N3 позволит разместить на 1 кв. мм почти 300 млн транзисторов.

^[4]

Что касается производительности и энергопотребления, N3 обеспечит повышение быстродействия на 10-15% при той же мощности или снижение потребляемой мощности на 25-30% при той же скорости по сравнению с N5.

Источник ^[5]