- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Samsung Electronics объявила о доступности проверенной в кремнии технологии объемной компоновки интегральных микросхем eXtended-Cube или X-Cube для самых современных технологических узлов — 7 и 5 нм. Используя технологию сквозных переходных отверстий в кристаллах (TSV), X-Cube обеспечивает значительный скачок в скорости и энергетической эффективности, помогая удовлетворить строгие требования к производительности приложений следующего поколения, включая 5G, искусственный интеллект, суперкомпьютерные вычисления, а также мобильную и носимую электронику.
Используя X-Cube, разработчики микросхем могут гибко сочетать кристаллы в специализированных решениях, наилучшим образом отвечающих требованиям конкретной задачи. В тестовом изделии, изготовленном по нормам 7 нм, технология TSV используется для размещения кристалла памяти SRAM поверх кристалла с логическими цепями. Благодаря объемной компоновке обеспечивается значительное сокращение путей прохождения сигнала между кристаллами, что позволяет получить максимальную скорость и энергоэффективность. Кроме того, высвобождается место на плате и появляется возможность увеличить объем памяти.
Более подробная информация о Samsung X-Cube будет представлена ??на Hot Chips, ежегодной конференции по высокопроизводительным вычислениям, которая будет транслироваться в прямом эфире с 16 по 18 августа.
Источник [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/355900
Ссылки в тексте:
[1] Image: https://www.pvsm.ru/img/n1/news/2020/7/4/Samsung-Foundry_X-Cube-Press-Release_main-2D-IC-vs-3D-IC_FF_large.jpg
[2] Источник: https://www.ixbt.com/news/2020/08/13/samsung-x-cube-7-5.html
Нажмите здесь для печати.