TSMC начинает строительство производственного комплекса, где планируется освоить 2-нанометровый техпроцесс

TSMC, крупнейший контрактный производитель полупроводниковой продукции, по сообщению источника, начал строительство производственного комплекса, где планируется освоить 2-нанометровый техпроцесс. Комплекс включает центр НИОКР и производственное помещение. Новые объекты будут расположены недалеко от штаб-квартиры TSMC в научном парке Синьчжу, Тайвань.

^[1]

По предварительным данным, в 2-нанометровом техпроцессе будет использоваться технология Gate-All-Around (GAA). Параллельно производитель начал планировать разработку 1-нанометрового техпроцесса.

Наряду с технологиями производства кристаллов, TSMC совершенствует технологии их упаковки. Он планирует ускорить внедрение таких передовых технологий упаковки, как SoIC, InFO, CoWoS и WoW. Все они классифицируются TSMC как 3D Fabric, хотя некоторые из них относятся к 2.5D. Эти технологии будут внедрены в серийном производстве на линиях ZhuNan и NanKe во второй половине 2021 года.

Источник ^[2]