- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания SK Hynix объявила о завершении разработки «самой многослойной в отрасли» 176-слойной флеш-памяти типа TLC 4D NAND плотностью 521 Гбит. В ноябре образцы памяти были отправлены производителям контроллеров.
Производитель продвигает память, которую он называет 4D NAND, начиная с 96-слойной памяти с ловушкой заряда (Charge Trap Flash или CTF). Особенностью 4D NAND является интеграция под слоями с ячейками памяти слоя с периферийными цепями. По подсчетам SK Hynix, переход к выпуску 176-слойной памяти позволил получать на 35% больше памяти из одной пластины по сравнению с флеш-памятью 4D NAND предыдущего поколения [3]. Время доступа при чтении удалось сократить на 20%, применив новую технологию выбора массива ячеек, а скорость передачи данных — увеличить на 33%, до 1,6 Гбит/с.
К поставкам новой памяти SK Hynix планирует приступить в середине следующего года, начав с памяти для мобильных устройств, в случае которой прирост скорости чтения достигает 70%, а скорости записи — 35%. Позже начнутся поставки микросхем для потребительских и корпоративных SSD.
Источник [4]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/359505
Ссылки в тексте:
[1] Image: https://www.pvsm.ru/img/n1/news/2020/11/1/SK-hynix’s_176-Layer_4D_NAND_Flash_large.jpg
[2] Image: https://www.ixbt.com/news/2020/11/10/micron-176-3d-nand.html?utm_medium=widget&utm_source=ixbt&utm_campaign=seealso
[3] флеш-памятью 4D NAND предыдущего поколения: https://www.ixbt.com/news/2019/06/26/sk-hynix-128-4d-nand.html
[4] Источник: https://www.ixbt.com/news/2020/12/07/sk-hynix-176-4d-nand.html
Нажмите здесь для печати.