Исследователи из Дрездена разработали новую структуру OLED

Исследователи из Технического университета Дрездена (TUD) разработали новую структуру OLED, в которую добавлены вертикальные органические транзисторы с проницаемой базой (OPBT). Новая структура получила название «светоизлучающий транзистор с органической проницаемой базой» или OPB-LET.

^[1]

В новой конструкции удачно сочетаются функции высокоэффективного переключающего элемента и органического излучателя. OLED-транзисторы (OLET) — это трехполюсные приборы, в которых тонкопленочный транзистор объединен со светодиодом. В отличие от предыдущих OLET, OPB-LET предлагает высокую производительность благодаря проницаемому базовому электроду, расположенному в центре устройства. Электрод формирует характерную оптическую микрополость, управляющую инжекцией и транспортировкой носителей заряда.

Исследователи сообщают, что структура обеспечивает высокий КПД (до 24,6% EQE), высокую яркость (до 12 513 кд/м²) и низкое управляющее напряжение (менее 5,0 В). Это сопоставимо с параметрами современных приборов OLED, но в OPB-LET уже встроены низковольтные управляющие транзисторы.

Источник ^[2]