Компания Samsung представила 3-нанометровый кристалл SRAM плотностью 256 Мбит

На Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) компания Samsung рассказала о новом шаге в направлении уменьшения технологических норм. Она представила кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит, впервые изготовленный по нормам 3 нм.

В этой микросхеме нашла применение технология транзисторов Gate All Around (GAAFET), которая призвана сменить используемую сейчас технологию FinFET. Первые в мире 3-нанометровые транзисторы GAAFET ^[1] южнокорейский производитель изготовил в январе прошлого года.

Источник напоминает, что существует два варианта технологии GAAFET. В одном каналы выполнены виде «проводков», а во втором, который получил собственное название MBCFET Multi-Bridge Channel FET), каналы имеют форму плоских «мостиков».

^[2]

В описываемой микросхеме используется технология MBCFET. Площадь кристалла равна 56 мм². Применение MBCFET позволило значительно уменьшить энергопотребление по сравнению с подобной микросхемой на транзисторах FinFET.

Ожидается, что новый 3-нанометровый техпроцесс будет запущен в массовое производство в 2022 году.

Источник ^[3]