- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Winbond Electronics объявила о расширении ассортимента микросхем флеш-памяти типа NOR с интерфейсом SPI добавлением однокристальной модели плотностью 512 Мбит, рассчитанной на напряжение питания 1,8 В. Новая микросхема поддерживает стандартную, удвоенную и учетверённую частоту синхронизации до 166 МГц. Совместимость на уровне выводов с микросхемами меньшей плотности позволяет легко увеличить объём флеш-памяти, не меняя конструкцию электронного устройства. Это позволяет модернизировать выпускаемые изделия с минимальными затратами времени и усилий на перепроектирование, а также использовать единую платформу для нескольких разновидностей устройств.
Поддержка SDR на частоте 166 МГц и DDR на частоте 80 МГц обеспечивает высокую скорость чтения, позволяя получить высокую производительность при выполнении программы прямо во флеш-памяти (XIP или eXecute In Place) и моментальное включение (Instant-on) с QPI. Микросхемы W25Q512NW можно объединять в стеки по 1 Гбит и 2 Гбит, что даёт разработчикам больше гибкости для увеличения плотности до 2 Гбит и более поддерживать операции чтения во время записи. Например, стек из двух микросхем, поддерживая операцию чтения во время записи, позволяет выполнить обновления OTA без приостановки операций чтения и без риска потери существующего образа прошивки в случае неожиданного отключения питания.
К областям применения новой памяти отнесены модемы 5G, средства периферийных вычислений для 5G, облачные серверы, оптоволоконные модемы и устройства интернета вещей.
Источник [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/365326
Ссылки в тексте:
[1] Image: https://www.pvsm.ru/img/n1/news/2021/5/5/Winbond_large.jpg
[2] Источник: https://www.ixbt.com/news/2021/06/18/winbond-spi-nor-512-1-8.html
Нажмите здесь для печати.