- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Micron Technology объявила о начале поставок первых в мире модулей Universal Flash Storage (UFS) 3.1, в которых используется 176-слойная флеш-память 3D NAND. По словам производителя, этим модули предназначены для смартфонов верхнего сегмента. Они позволяют раскрыть потенциал 5G, обеспечивая прирост до 75% по скорости последовательной записи и до 70% по скорости чтения с произвольным доступом по сравнению с «предыдущими поколениями». Под таковыми подразумеваются модули UFS 3.1 производства Micron, в которых используется 96-слойная флеш-память. Для наглядности Micron приводит следующий пример: загрузка двухчасового фильма в разрешении 4К занимает 9,6 с.
Как утверждается, по показателю смешанной производительности модули UFS 3.1 на основе 176-слойных микросхем обеспечивают прирост на 15%. Что касается ресурса, превосходство 176-слойной памяти над 96-слойной доходит до двукратного.
Модули уже доступны. Они выпускаются объемом 128, 256 и 512 ГБ.
Источник [2]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/366683
Ссылки в тексте:
[1] Image: https://www.pvsm.ru/img/n1/news/2021/7/2/micron-ufs-3-1_large.jpg
[2] Источник: https://www.ixbt.com/news/2021/08/03/micron-ufs-3-1-176-3d-nand.html
Нажмите здесь для печати.