Новые системы Applied Materials для полупроводникового производства помогут перейти к использованию 200-миллиметровых пластин SiC
Компания Applied Materials, специализирующаяся на выпуске оборудования для полупроводникового производства, на этой неделе представила два новых изделия. Это системы, предназначенные для работы с пластинами карбида кремния (SiC), используемого для изготовления силовых полупроводниковых приборов. По словам Applied Materials, новые системы помогут производителям перейти от использования 150-миллиметровых пластин к использованию 200-миллиметровых пластин. Указанный переход примерно вдвое увеличивает выход продукции в расчете на одну пластину, позволяя удовлетворять растущий спрос на силовые компоненты для электромобилей.
В системе химико-механической планаризации [1] (CMP) Mirra Durum объединены операции полировки, контролируемого удаления материала, очистки и сушки пластины. Как утверждается, новая система продемонстрировала 50-кратное снижение шероховатости поверхности готовой пластины по сравнению с механически шлифованными пластинами SiC и трехкратное снижение шероховатости по сравнению с системами пакетной CMP.
Система «горячей» ионной имплантации [2] VIISta 900 3D, рассчитанная на пластины SiC диаметром 150 и 200 мм, позволяет легировать полупроводниковый кристалл [3] с минимальным повреждением кристаллической решетки, что приводит к снижению удельного сопротивления более чем в 40 раз по сравнению с имплантацией при комнатной температуре.
Источник [4]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/367773
Ссылки в тексте:
[1] химико-механической планаризации: https://www.ixbt.com/click/?c=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&h=b8a9d20dba7e3fbfc1fce5d3f4cdb52a1ea6a2ed
[2] ионной имплантации: https://www.ixbt.com/click/?c=53616c7465645f5fb156f73e8729e7901f225f80ac1e4f2983fba70f1bddacd0eee8f7daf20cae70856ceb39f9c1ebc786d818567312e0f4cadfeaa85ecb6f9e13d58a3029b6b1c30ae4260375308b9ff8357540ac83620939e14cfb3b60651967fbb78a75a9cce00c6fca6a9214d1eaaa97c8bd40e492e1dd43541021293d7b9aaefed050f8de228edbe9c41c6493b7c86af1d7051f37f9a1449cd29fd7fbd8ea9bc513952913bf7dbe932bb6b65af5&h=a9560f20469790f87a868afdf6ff66985cb8272c
[3] легировать полупроводниковый кристалл: https://www.ixbt.com/click/?c=53616c7465645f5f8beca7bc5bd090fec8558eecccb70166ece08affd41185030a4f84ff60749949b6ea782adeb9a1bd81f0f31b34eae0dbe4437c4cce3feb8ffae5f3cf3f9b4da76a3cb008ce2b6a1c43d46c65f521ca0c8936ec892030c967643de565bafcebf13baf60e2486dae82e7c2bb01073ce047eecc74591e04fb566924a49b8c06f872c1738c8a088029cdd6097abdf3e5255814a52e69e907c0d8fcc9e2d6ccafc4ea32416b3dafdc3b7270cf5e255ff57c6ced7a482061714578dc4d9bdf5a16e627e22da02eb7b2ca06c7387facdc8ac82d970ff61b694a5ef2&h=157daa89f8f6076656751c6a8f1e7450f276b889
[4] Источник: https://www.ixbt.com/news/2021/09/12/applied-materials-200-sic.html
Нажмите здесь для печати.