- PVSM.RU - https://www.pvsm.ru -
Компания Toshiba сообщила о начале массового производства инжекционного транзистора с обогащенным затвором (IEGT) в обжимном корпусе диаметром 168 мм. Новинка, получившая название ST2000GXH32, характеризуется номинальным напряжением коллектор-эмиттер 4500 В и номинальным током коллектора 2000 А.
В структуру транзистора включены недавно разработанный высокоскоростной диод для преобразователей высокого напряжения. Как утверждается, структура катода этого диода такова, что подавляет колебания напряжения во время обратного восстановления, улучшая устойчивость к обратному восстановлению. Кроме того, она позволяет сохранять работоспособность при высокой температуре. По сравнению с ранее выпущенным транзистором Toshiba ST2000GXH31, можно использовать небольшой резистор в цепи управления затвором, что уменьшает потери переключения приблизительно на 30% (с 12,0 до 8,4 Дж). Кроме того, улучшенный катод увеличивает пиковую мощность во время обратного восстановления примерно на 29%, а допустимая температура перехода увеличена со 125 °C до 150 °C.
Области применения ST2000GXH32 — высоковольтное промышленное оборудование, включая инверторы и преобразователи для электродвигателей. Весит транзистор 2,7 кг.
Источник [1]
Сайт-источник PVSM.RU: https://www.pvsm.ru
Путь до страницы источника: https://www.pvsm.ru/news/370290
Ссылки в тексте:
[1] Источник: https://www.ixbt.com/news/2021/12/07/toshiba-st2000gxh32-4500-2000.html
Нажмите здесь для печати.