ОЗУ Samsung DDR6 будет в два раза быстрее, чем DDR5

Компания Samsung готовится к выводу на рынок модулей памяти DDR6. Источники сообщают, что южнокорейский технологический гигант планирует внедрить модифицированную технологию упаковки Semi-Additive Process (mSAP) для производства чипов DDR6.

По словам вице-президента Samsung Янгвана Ко, технология упаковки должна развиваться вместе с модулями памяти, поскольку они становятся все более мощными. Применение процесса mSAP к микросхемам памяти DDR6 позволит Samsung создавать более современные микросхемы. Он уточнил, что конкуренты Samsung уже использовали процесса mSAP для памяти DDR5, и Samsung, как сообщается, работает над использованием этой технологии упаковки для DDR6.

^[1]

Напомним, южнокорейский технологический гигант на прошлой неделе представил свои первые чипы памяти GDDR6 со скоростью обработки 24 Гбит/с ^[2], то есть с частотой 24 ГГц. При этом компания продолжает работать над DDR6 (не путать с GDDR6). Согласно имеющимся данным, разработка DDR6 может быть завершена к 2024 году.

Ожидается, что DDR6 будет в два раза быстрее и будет иметь в два раза больше каналов памяти, чем DDR5. DDR6 сможет достигать скорости передачи около 12 800 Мбит/с на модулях JEDEC или 17 000 Мбит/с при разгоне.

Ранее в прошлом году Samsung анонсировала первую в мире память DDR5-7200 емкостью 512 ГБ, производительность которой на 40% выше, чем у решений DDR4.

Источник ^[3]